Photodiodes à avalanches

Photodiode à avalanche LIDAR et YAG

HTDS propose une large gamme de photodiodes à avalanche  sur catalogue mais saura aussi vous accompagner pour des besoins spécifiques (développement sur cahier des charges) et des qualifications spéciales (militaires & spatiale)

Fournisseur : Excelitas Technologies

Caractéristiques

  • Grande détéctivité de 350 à 1600nm
  • Développement sur cahier des charges
  • Non ITAR (fabrique Canadienne)
  • Respecte la norme RoHS

 

HTDS propose des photodiodes à avalanche qui détectent les longueurs d’ondes  entre 250 nanomètres et 1700 nanomètres (InGaAs et Silicium). L’effet d’avalanche (gain important) de ces photodiodes les rendent particulièrement adaptées pour la détection des intensités de lumière extrêmement faibles.

HTDS propose plusieurs types de photodiodes :

- Photodiodes à avalanche silicium  à gain important (M>100) pour les applications nécessitant une forme détéctivité : C30817EH, C30872EH, C30884EH, C30902EH, C30916EH, C3021EH

- Photodiodes très grande surface optimisées pour la détection proche UV et pour la détection de particules : Série C30626FH, C30703FH, C30739EH

- Photodiodes à avalanche silicium optimisées pour le proche-infrarouge (1060nm)  pour la détection YAG :Série C30954EH, C30955EH, C30956EH

- Photodiode à avalanche très rapide pour télémétrie (  > 1Ghz) :  Série C30737 (boîtier plastique et céramique)

- Photodiodes à avalanches InGaAs pour le proche-infra-rouge (800nm à 1700nm) : Séries C30662EH, C30645EH & C30664EH

Photodiodes à avalanche

RéférenceDiamètre actifGain typiqueEfficacité quantiqueBoitier
Photodiodes à avalanches Silicium
Photodiodes à avalanches à gain important (M >75)
C30817EH0,812075 A/W @900nmTO-5
C30872EH36037 A/W @900nm
9 A/W@1060nm
TO-8
C30884E0,810063 A/W @900nmTO-5
C30902H0,515077 A/W @830nm
60 A/W@1060nm
Ball lens TO-18 (B)
Connecteur FC ( BFC)
Connecteur ST (BST)
TO-18 fenêtre plate (E)
C30902SH0,5250128 A/W @830nm
108 A/W@1060nm
TO-18 fenêtre plate
C30916EH1,58050 A/W @830nm
12 A/W@1060nm
TO-5
C30921EH0,2515077 A/W @830nm
60 A/W@1060nm
TO-18 fenêtre plate
C30921SH0,25250128 A/W @900nm
108 A/W@1060nm
TO-18, light pipe
C30954EH0,812075 A/W @900nm
36 A/W@1060nm
TO-5
C30955EH1,510070 A/W @900nm
34 A/W@1060nm
TO-5
C30956EH37545 A/W @900nm
25 A/W@1060nm
TO-8
Photodiodes à avalanches optimisées pour 1060nm ( > 40% à 1060nm)
C30954EH0,812036 A/W @1060nmTO-5
C30955EH1,510034 A/W @1060nmTO-5
C30956EH37525 A/W @1060nmTO-8
Photodiodes à avalanche grande surface et optimisées 400nm : Efficacité quantique 60% à 430nm
C30626FH5*5mm22A/W @900nm
C30703FH10*10mm16A/W@530nm
C30739ECERH5,6*5,6mm20A/W@430nm
Photodiodes à avalanches grande vitesse (>1Ghz) et basse tension
C30737XH-230-8X
Option filtre passe-bande
( 635nm)
230µm10050A/W@800nm
TO
T-1(3/4)
LCC
C30737XH-500-8X500µm10050A/W@800nmTO
T-1(3/4)
LCC
C30737XH-230-9X
Option filtre passe-bande
( 905nm)
230µm10060A/W@800nmTO
T-1(3/4)
LCC
C30737XH-500-9X
Option filtre passe-bande
( 905nm)
500µm10060A/W@800nmTO
T-1(3/4)
LCC
C30724XH500µm158,5@920nmTO
T-1(3/4)
Photodiode à avalanche InGaAs
C30662E200µm109,3@1550nmTO-18 ou
Ceramique
C30645E80µm109,3@1550nmTO-18 ou
Ceramique
C30644E50µm109,3@1550nmTO-18 ou
Ceramique

 

Spécifications

  • Silicium (400nm à 1100nm) et InGaAs ( 800nm à 1600nm)
  • Diamètre actif de 230µm à 10mm
  • Optimisation 350nm, 1060nm et 1550nm
  • Packages variés : TO8, TO5, TO18, T-1(3/4), LCC...

Applications produits

  • Détection de fluorescence / luminescence
  • Communication
  • Télémétrie, LIDAR
  • Compteur de photons

Produits connexes