Diodes Laser Pulsées

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Diodes laser pulsées 905 nm, 1060 nm et 1550 nm

Nos diodes lasers pulsées sont fabriquées au Canada, elles sont destinées à des applications nécessitant hautes performances, forte puissance et fiabilité, comme les applications militaires ou aérospatiales. La gamme se décline sur différentes puissances d’émission (simple ou multi-stack et/ou simple ou multi-cavité), à 905 nm, 1060 nm et 1550nm avec des boitiers SMD et TO hermétiques.

Outre une large gamme de diodes laser fibrées catalogue, nous proposons également une personnalisation pour relever les défis de vos applications spécifiques en photonique.

Caractéristiques

905 nm, 1060 nm et 1550 nm
Multi-cavités
Forte puissance
Excellente stabilité

Description

Spécifications

Applications

Ressources

Nos diodes laser PGA et PGEW à 905 nm sont conçues pour surperformer dans des environnements difficiles. Développées par croissance épitaxiale sur un substrat GaAs, peut comporter jusqu’à 4 cavités. Cette conception à plusieurs cavités multiplie la puissance de sortie par le nombre d’épi-couche permettant d’atteindre des puissances optiques de 300W crête.

Les diodes laser PGA et PGEW présentent des zones d’émission de 75 µm à 225 µm, en épi-cavité simple (PGA/PGEW), double (DPGA/DPGEW), triple (TPGA/TPGEW) ou quadruple (QPGA/QPGEW). A chaque application sont boitiers avec six boitiers disponibles dont les habituels TO18 et TO56.

Les PGEW correspondent à des boitiers plastique T1 3/4 (Type TO) destinées aux applications grand volume.

L’espacement transversale des zones actives concentre davantage de puissance optique sur une plus petite surface ce qui facilite le couplage de la diode dans une fibre.

HTDS propose également les diodes laser pulsées SMD à 905 nm, constituées de matrices de quatre canaux en particulier pour les applications LIDAR. Suivant le modèle, les canaux peuvent être adressés soit simultanément pour du LIDAR flash ou individuellement pour les applications à temps de vol.

La diode laser C86119EH est une diode laser à 1064 nm conçu par procédé épitaxial sur substrat inGaAs/AlGa offrant une efficacité élevé et un seuil bas. Elle est utilisée pour simulée l’émission d’un laser Nd:YAG et en LIDAR atmosphérique.

Nos diodes laser PVG à 1550 nm sont idéales pour les applications « eye-safe ». Disponibles en plusieurs types de boitiers, elles disposent de plusieurs largeur de zone d’émission : 150 µm, 300 µm et 350 µm.

Ces diodes sont conçues en utilisant les dernières techniques de croissance épitaxiale (MOCVD) et tire parti de l’augmentation significative du niveau maximum d’émission des laser AlGaAs et InGaAs permit par la commission électrotechnique internationale (CEI). Elles peuvent fonctionner à des puissances moyennes relativement élevées dans des conditions de classe I. Il appartient bien évidemment à l’utilisateur de faire certifier son équipement en classe I et de s’assurer qu’il répond aux exigences de son organisme de réglementation local approprié.

Diodes laser PGA :

Références	Description	# de strip	Puissances typiques
Références	Description	# de strip	10 A / 100 ns / 75 µm	30 A / 100 ns / 225 µm
PGAx1	Simple puce laser – Simple épi-cavité	1	8 W	23 W
DPGAx1	Simple puce laser – Double épi-cavités	2	15 W	50 W
TPGAx1	Simple puce laser – Triple épi-cavités	3	23 W	75 W
QPGAx1	Simple puce laser – Quatre épi-cavités	4	33 W	100 W
TPGAx2	Double puce laser – Triple épi-cavités	6	45 W	150 W
QPGAx2	Double puce laser – Quatre épi-cavités	8	65 W	200 W
QPGAx3	Triple puce laser – Quatre épi-cavités	12	95 W	300 W

Diodes laser PGEW :

Références	Description	# de strip	Puissances typiques
Références	Description	# de strip	10 A / 100 ns / 75 µm	30 A / 100 ns / 225 µm
PGEW1SxxH	simple puce laser – Simple épi-cavité	1	6.5 W	23 W
DPGEW1SxxH	Simple puce laser – Double épi-cavités	2	13 W	45 W
TPGEW1SxxH	Simple puce laser – Triple épi-cavités	3	20 W	70 W
QPGEW1SxxH	Simple puce laser – Quatre épi-cavités	4	25 W	85 W