Photodiodes Black Silicon

Les photodiodes Black Silicon sont réalisées sur du silicium dont la surface a été modifiée par des techniques de nano‑structuration pour créer une couche dite de « silicium noir ». Cette structure piège le flux lumineux incident et réduit drastiquement la réflectivité, permettant d’atteindre une très forte efficacité de détection dans le visible et une sensibilité exceptionnelle dans l’ultraviolet. La documentation HTDS indique que ces photodiodes peuvent atteindre une efficacité quantique externe de 100% dans l’UV, tout en conservant une faible réflectance jusqu’à 1000 nm et pour des angles d’incidence allant jusqu’à 60°.

Contrairement aux photodiodes silicium classiques qui s’appuient sur des couches antireflet optimisées pour une longueur d’onde et un angle donnés, la texturation « black silicon » fournit une réponse très homogène sur une large bande spectrale et pour un large cône angulaire. Les photodiodes PIN Black Silicon présentent ainsi une sensibilité spectrale idéale du UV au proche IR, avec un large angle de détection, une faible réflectivité et une forte absorbance. Elles se révèlent particulièrement adaptées à la détection de rayonnements ionisants (alpha, bêta) et à la mesure de très faibles niveaux de lumière, tout en conservant des courants d’obscurité comparables aux photodiodes silicium conventionnelles.

• Détection de rayonnements ionisants (alpha, bêta, radon…) et dosimétrie optique.

• Mesure de faibles flux lumineux en laboratoire, instrumentation scientifique et astrophysique.

• Capteurs UV pour surveillance environnementale, contrôle de procédés UV, sécurité.

• Détection de lumière ambiante à large angle dans les systèmes de vision, LIDAR ou optique embarquée.