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Photodiodes APD Optimisées NIR
Excelitas Technologies
Nous proposons des photodiodes à avalanche (APD) Silicium optimisée à 1060 nm, avec une efficacité quantique pouvant atteindre 40% à cette longueur d’onde.
Caractéristiques
- Haute efficacité quantique à 1060 nm
- Très rapide
- Faible capacitance
- Large plage de température de fonctionnement
Les C30954EH, C30955EEH et C30956EH sont des photodiodes à avalanche Silicium dont leur structure permet une amélioration de la détection vers 1060 nm. Elles ont un faible bruit, une faible capacité et un temps de montée et de descente rapide.
Ces APD sont disponibles en version standard dans des boitiers hermétiques TO5 pour les photodiodes avec la surface active la plus petite (C30954EH et C30955EH) et en boitier TO8 pour le C30956EH. Pour simplifier de nombreux besoins de conception ces APD sont proposées en module, avec pré-amplificateur et TEC intégré.
Nous sommes à votre écoute si vous avez des besoins d’optimisation sur la tension de fonctionnement et de claquage ou encore sur la sensibilité du détecteur.
| Références | Diamètre photosensible (mm) | Sensibilité spectrale (A/W) @1060nm | Courant d’obscurité (nA) | Temps de réponse (ns) | NEP (fW/√Hz) @1060nm |
| C30954EH | 0.8 | 36 | 50 | 2 | 14 |
| C30955EH | 1.5 | 34 | 100 | 2 | 15 |
| C30956EH | 3.0 | 25 | 100 | 2 | 20 |
- LIDAR
- Télémétrie laser
- Systèmes de repérage et d’alignement
- Détection YAG
