Photodiodes PIN
Excelitas Technologies
La photodiode PIN est un composant optoélectronique, utilisée dans de nombreuses applications industrielles. Sa particularité vient de sa jonction composée d'une zone intrinsèque intercalée entre une région fortement dopée P et une autre fortement dopée N. De même la photodiode PIN a un rendement quantique (conversion des photons en électrons) bien supérieur à la photodiode PN tout en conservant des temps de réponse très rapides.
Caractéristiques
- Rapide
- Grande sensibilité spectrale
- Boitier hermétique
- Large surface disponible
- Faible courant d’obscurité
Les photodiodes PIN Silicium possèdent une réponse spectrale entre 400 et 1100 nm.
Nous proposons la série YAG, il s’agit de photodiodes optimisées à 1060 nm avec une réponse de 0.4 A/W grâce au contrôle rigoureux de l’épaisseur du matériau.
Vous pourrez obtenir un positionnement précis du faisceau incident avec nos détecteur quadrants, conçus avec 4 sections, comme la C30845EH.
La série C30741 fournit une réponse rapide et une bonne efficacité quantique dans la plage spectrale comprise entre 300 et 1100 nm. Ces photodiodes sont proposées dans des boitiers en plastique de TO avec la possibilité d’ajouter un filtre passe-bande.
HTDS propose également un module Silicium HPR-1100BGH intégrant un amplificateur pour une détection de faibles signaux lumineux et un fort gain.
Les photodiodes de la série FFD et FND sont destinées à des applications de détection très rapides jusuq’à 350MHz.
Présent dans de nombreuses applications et soucieux de proposer des photodiodes optimisées, HTDS adresse également deux photodiodes en version Chip (VTH21 serie) pour la détection optimale des particules Alpha, telle que la détection de gaz Radon. Dotées d’une large surface et d’une faible capacitance, ces chips offrent une grande sensibilité de détection pour une réponse spectrale entre 400 et 1000 nm.
Références | Diamètre (mm) | Surface active (mm2) | Sensibilité spectrale (A/W) | Capacitance (pF) | Temps de montée (ns) | Courant d’obscurité (nA) | Boitier |
| 1.5×1.5 | 2.25 | 0.47 @ 800 nm | 11 | 2 | 0.05 | Plastique T-13/4 | |
| 1.5×1.5 | 2.25 | 0.47 @ 800 nm | 11 | 2 | 0.05 | T-13/4 | |
| 1 | 0.8 | 0.6 @ 900 nm | 2.5 | 5 | 10 | TO18 | |
| 2.5 | 5 | 0.6 @ 900 nm | 5 | 12 | 30 | TO5 | |
| 5 | 20 | 0.6 @ 900 nm | 12 | 12 | 50 | TO8 | |
FFD-100H | 2.5 | 5.1 | 0.6 @ 850 nm | 8.5 | 3.5 | 5 | TO5 |
FFD-200H | 5 | 20 | 0.6 @ 850 nm | 30 | 5 | 10 | 3pin |
| 2.5 | 5.1 | 0.64 @ 920 nm | 8.5 | <1 | 10 | TO5 | |
| 80.6 | 5.1 | 0.6 @ 900nm | – | 32000 | – | TO | |
| C30845EH | 8 | 50 | 0.6 @ 900 nm | 8 | 6 | 70 | TO8 |
| 2.5 | 4.9 | 0.7 @ 1000 nm | 2.5 | 12 | 11 | TO5 | |
| 5.1 | 20 | 0.7 @1000 nm | 6.0 | 12 | 25 | TO8 | |
| 11.3 | 100 | 0.7 @ 1000 nm | 35 | 12 | 80 | TO36 | |
| 5 | 25 | 0.7 @ 940 nm | <30 | – | <2 | Chip | |
| 10 | 100 | 0.7 @ 940 nm | <120 | – | <5 | Chip |
- Télécommunication
- Photométrie
- Télémétrie laser
- Instrumentation
- Alignement laser
- Guidage missile
- Mesure de la puissance optique
- Détection de Radon
- Détection de particules Alpha
Fiche produit
Photodiodes PIN Si rapides- série C30741 (pdf / 278,12 KB)
Photodiodes PIN Si (pdf / 917,2 KB)
Photodiodes PIN Si FND-100 (pdf / 466,32 KB)
HPR-1100BGH (pdf / 1,1 MB)
FND-100GH (pdf / 527,27 KB)
YAG 100 series (pdf / 1,09 MB)
VTH21 serie (pdf / 454,72 KB)
