Photodiodes PIN InGaAs

Photodiodes PIN et InGaAs, optimisation 1060nm et 200nm

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HTDS propose une large gamme de photodiodes PIN  InGaAs pour détécter des longueurs d'onde de 800nm à 1700nm avec un maximum de réponse à 1550nm

Fournisseur : Excelitas Technologies

Caractéristiques

  • Détéctivité de 800nm à 1600nm
  • Plusieurs boitiers diponibles
  • Non soumis à l'ITAR

HTDS propose les photodiodes InGaAs fabriquées au Canada (non ITAR) par Excelitas (ex EG&G) nos photodiodes sont conçues autour de 4 composants de bases :

C30616, C30617,C30618 & C30637 : Photodiodes rapide avec des bande passante de 750 MHz à 3,5GHz

C30641, C30642, C30665, C30723 & C30619 : Photodiodes à grand diamètre actif de 0,5mm à 5mm

HTDS sait aussi vous proposer des photodiodes PIN développées exclusivement pour vos applications (sur cahier des charges) et avec des qualification militaires et/ou spatiales. Notre usine de fabrication est située au Canada et n’est donc pas soumise à la réglementation ITAR.

ComposantDiamètre actif µmRéponse à 1550 nm en A/WCapacitance pFBande passante GHzCourant noir nABoitier
C30616ECERH500,950,353,5<1céramique
C30617BH1000,950,83,5<1TO-18, ball lens
C30617BFCH1000,950,83,5<1TO-18 , connecteur FC
C30617BSCH1000,950,83,5<1TO-18 , connecteur SC
C30617BSTH1000,950,83,5<1TO-18 , connecteur TC
C30617ECERH1000,950,63,5<1céramique
C302618BFCH3500,9540,751TO-18 , connecteur FC
C30618GH3500,9540,751TO-18
C30618ECERH3500,9540,751Céramique
C30637ECERH750,950,43,5<1Céramique
C30641GH1000,954075Mhz5TO-18
C30642GH2000,9515020Mhz10TO-5
C30665GH3000,952003Mhz25TO-5
C30723GH5000,959503MhzTO-5
C30619GH500,958350Mhz1TO-18

 

Spécifications

  • Optimisation : 1550nm
  • Grande taille (jusqu'à 5mm)
  • Rapides (jusqu'à 3,5Ghz)
  • Trés bonne détéctivité (jusqu'à 0,95A/W)

Applications produits

  • Photométrie
  • Mesure de puissance laser
  • Guidage de missile
  • Alerte laser
  • Télécom